21/07/2563 18:47 น. ,
อ่าน 11,543 ครั้ง
ซ๊อดกี้ ไดโอด Schottky Diode
โดย : Admin
Schottky Diode ซ๊อดกี้ ไดโอด คืออะไร ?
Schottky diode (ตั้งชื่อตามนักฟิสิกส์ชาวเยอรมัน Walter H. Schottky) หรือที่รู้จักในชื่อ Schottky barrier diode หรือ hot-carrier diode เป็นไดโอดสารกึ่งตัวนำที่เกิดขึ้นจากการรวมตัวของสารกึ่งตัวนำกับโลหะ ซึ่งมีแรงดันตกคร่อมในช่วงฟอร์เวิร์ด ไบแอส (Forward bias) ที่ต่ำกว่าไดโอดทั่วๆไป และสามารถทำการสวิตซิ่งได้รวดเร็วมาก (very fast switching action)
รูปโครงสร้าง และสัญลักษณ์ของ Schottky Diode
Schottky Diode มีการออกแบบ P-N Junction แบบพิเศษ ซึ่งมีคุณสมบัติดังต่อไปนี้
1. Forward voltage (Vf) ต่ำ : ปกติแล้วไดโอดที่ทำจากสารซิลิคอน Silicon diode ทั่วๆไปอย่างเบอร์ 1N4007
จะมีค่า Vf ประมาณ 0.6 - 0.7V และเมื่อกระแสไหลผ่านมาก Vf อาจมากถึง 1V แต่สำหรับ Schottky Diode จะมี Vf เพียง 0.2 - 0.5V (แล้วแต่เบอร์)
2. Low junction capacitance: junction capacitance (Cj) คือค่าความจุแฝงทางไฟฟ้าที่ปรากฏที่ junction
Diode ทั่วไปจะมี Cj ประมาณ 15 - 20 pF แต่สำหรับ Schottky Diode จะมีค่า Cj แค่ 3 - 5 pF เท่านั้น ซึ่งทำให้สามารถทำงานกับความถี่สูงในวงจรประเภท RF ได้ดี
3. Fast recovery time : recovery time สามารถอธิบายได้ในภาพนี้ดังต่อไปนี้
จากคุณสมบัติที่กล่าวไป Schottky Diode จึงใช้ได้ดีในวงจร Switching วงจรเกี่ยวกับ RF ใช้กับ Solar cell และใช้เป็น Clamp diode ใน IC ประเภท TTL (ตระกูล 74S , LS)
เปรียบเทียบ สัญลักษณ์ ซ๊อดกี้ ไดโอด กับไดโอดที่ใช้ทั่วไปในวงจรเร็คติไฟร์และซีเนอร์ไดไโอด
ตัวอย่าง ซ๊อดกี้ ไดโอด ที่ใช้ในวงจรวงจรมอดูเลเตอร์แบบ AM
========================================================